RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 2, страницы 375–381 (Mi qe4857)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Инжекционный лазерный усилитель бегущей волны на основе двойной (GaAl) As-гетероструктуры

И. С. Голдобин, В. Н. Лукьянов, А. Ф. Солодков, В. П. Табунов, С. Д. Якубович

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовано однопроходное усиление узкополосных оптических сигналов в полосковых безрезонаторных гетероструктурах при комнатной температуре. Зарегистрированы следующие оптико-физические характеристики лазерных усилителей (ЛУ) такого типа: максимальное усиление 26 дБ; выходное, отношение сигнал-фон до 7 дБ без использования спектральной селекции и до 24 дБ с выходным фильтром с полосой 0,1 нм; чувствительность порядка 100 нВт, мощность выходного сигнала до 20 мВт; диапазон линейного режима усиления более 20 дБ; быстродействие в линейном режиме лучше 1 нс. Экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с результатами расчета.

УДК: 621.375.8.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.79.Ci, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 16.03.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:2, 255–259

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024