Оптический гистерезис при обращении волнового фронта на голографических бегущих решетках

На примере полупроводника проведен анализ больших эффективностей отражения волны с обращенным волновым фронтом для волн с малым различием частот. Показано, что при больших эффективностях отражения возможны критические явления: оптический гистерезис, мультистабильность и «генерация», управляемые частотной расстройкой взаимодействующих волн.