Волноводный эффект в процессе фототравления полупроводников

Установлено, что вблизи поверхности GaAs, помещенного в травитель, при освещении образца лазерным излучением возникает оптический волновод. Время формирования волновода ~1 с, толщина его достигает 47 мкм, а изменение показателя преломления волноводного слоя Δ n ≈ 0,1. Этот волновод может оказывать решающее влияние на образование дифракционных решеток, формирующихся при освещении полупроводника в травителе одним лазерным пучком малой мощности.