А. Г. Алексанян, Р. К. Казарян, A. M. Хачатрян, “Полупроводниковый лазер на основе Вi1–xSbx”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 492

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковый лазер на основе Вi_1–xSb_x

А. Г. Алексанян, Р. К. Казарян, A. M. Хачатрян

Институт радиофизики и электроники АН АрмССР, г. Аштарак

Аннотация: Приводятся экспериментальные данные о генерации излучения с длиной волны около 100 мкм лазером на основе Вi_1–xSb_x. Проведены теоретические оценки пороговой концентрации электронно-дырочных пар n. Показано, что генерация возникает при n ≈ 4 · 10¹⁵см^–3, температуре 16 K и токе 1,4 А.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 15.04.1983