RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 3, страницы 537–543 (Mi qe4903)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Особенности двухслойных фазовых голограмм

Б. Я. Зельдович, Д. И. Мировицкий, Н. В. Ростовцева, О. Б. Серов

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследованы тонкие двухслойные фазовые голограммы. Показано, что по своим свойствам они занимают промежуточное положение между тонкими и объемными голограммами. Дифракционная эффективность таких систем значительно превышает теоретический предел для тонкой фазовой голограммы и может достигнуть 67 %. Кроме того, они обладают высокой угловой селективностью, которая качественно отличается от селективности объемных голограмм. Исследованы характеристики двухслойных голограмм в зависимости от угла между записывающими волнами и их экспозиции. Получено хорошее совпадение экспериментальных и теоретических данных.

УДК: 778.38

PACS: 42.40.Pa, 42.40.Lx

Поступила в редакцию: 21.04.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:3, 364–369

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024