RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 3, страницы 618–621 (Mi qe4931)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Краткие сообщения

УФ полупроводниковый лазер на ZnS с продольной накачкой электронным пучком

В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. С. Насибов, П. В. Шапкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Описан полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на ZnS, работающий в сканирующем (при температуре кристалла T = 80 К на длине волны 330 нм с мощностью 0,3 Вт) и импульсном (300 К, 345 нм, 3 кВт) режимах.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 06.04.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:3, 420–422

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024