М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 631

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом

М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Изготовлены и изучены инжекционные лазеры с трехслойным волноводом, излучающие на длине волны около 1,3 мкм. Методом жидкофазной эпитаксии изготовлены гетероструктуры на подложках InP n- и p-типа, обладающие более низкими пороговыми токами, чем обычные двусторонние гетероструктуры. Гетероструктура с трехслойным волноводом имела тонкую активную область (0,05–0,2 мкм) четверного твердого раствора с прилегающими к ней слоями прозрачного твердого раствора промежуточного состава, образующими с активным слоем волновод для лазерного излучения в более широкозонной среде (InP). Минимальная пороговая плотность тока при комнатной температуре в импульсном режиме составила 930 А/см².

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 01.09.1983