RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 12, страницы 2418–2426 (Mi qe4993)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Оптически накачиваемый газовый лазер на электронных переходах молекулы NaRb

В. М. Каслин, О. Ф. Якушев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Впервые получена лазерная сверхсветимость на электронном переходе двухатомной гетероядерной молекулы при прямой оптической накачке. Сверхсветимость наблюдалась в области 670 нм на электронном переходе в основное состояние X 1Σ + интерметаллической щелочной молекулы NaRb при накачке излучением импульсного лазера на парах меди (λ = 510,6 нм).

УДК: 621.573.826.038.82

PACS: 42.55.Hq, 33.80.Be

Поступила в редакцию: 13.01.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:12, 1575–1579

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024