RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 3, страницы 205–208 (Mi qe50)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Одночастотные GaAIAs/GaAs -лазеры

О. В. Журавлева, Н. Н. Киселева, В. Д. Курносов, О. Ю. Малашина, А. А. Чельный, В. А. Шишкин

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Разработаны лазеры с длиной волны излучения 780–850 нм, генерирующие мощность до 20 мВт в одночастотном режиме. В диапазоне мощностей до 5 мВт не наблюдается ''переключения'' мод и экспериментальные характеристики лазера хорошо совпадают с теоретическими. Лазеры имеют минимальную ширину линии генерации 35 МГц и отношение мощностей излучения генерирующей и близлежащей мод, превышающие 20 дБ.

PACS: 42.55.Px, 42.60.L

Поступила в редакцию: 27.04.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:3, 187–190

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024