RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 12, страницы 2451–2456 (Mi qe5000)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Пороговые условия плазмообразования при воздействии на твердые мишени импульсного УФ излучения

В. П. Агеев, А. А. Горбунов, В. П. Данилов, В. И. Конов, П. И. Никитин, A. М. Прохоров


Аннотация: Экспериментально исследованы факторы, влияющие на пороговую для плазмообразования лазерную интенсивность I* при воздействии на твердые мишени серий импульсов излучения с длиной волны 308 нм и длительностью по основанию 30 нс. Выявлены два механизма, влияющих на I*: лазерная очистка, увеличивающая I*, и стимулированная периодическим лазерным воздействием перестройка поверхности зоны облучения, снижающая I*. Показано, что регистрация некоторых оптических характеристик области взаимодействия лазерного излучения с мишенью может служить критерием стабилизации I*.

УДК: 533.9+535.21-3:621.375.826

PACS: 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 09.02.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:12, 1595–1598

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024