Структуры металл – диэлектрик – полупроводник – жидкий кристалл: влияние параметров управляющих сигналов на характеристики пространственной модуляции света

Приводятся результаты исследований пространственной модуляции света в структурах изолированный полупроводник – жидкий кристалл. Показано, что на параметры (чувствительность и разрешающую способность) оказывает существенное влияние накопление носителей заряда в полупроводнике при питании структуры переменным напряжением. В структуре на основе арсенида галлия достигнута разрешающая способность около 100 лин/мм, чувствительность до 10^–9 Дж/см².