Лазер на динамических решетках свободных носителей в полупроводнике

Впервые осуществлена вырожденная по частоте параметрическая генерация, в кристалле теллурида кадмия как в резонаторе, образованном обращающим и обычным плоским зеркалами, так и в резонаторе без дополнительных зеркал. Выполнен расчет энергетических характеристик генерации с учетом насыщения волн накачки. Предсказано немонотонное изменение интенсивности генерации при увеличении накачки сверх порогового значения, определены интервалы интенсивностей накачки, в которых генерация запрещена, а такте области бистабильных режимов.