Пробой на поверхности и нелинейное поглощение полупроводников при воздействии излучения импульсного CO2-лазера

В единых условиях измерены пороговые интенсивности пробоя на поверхности полупроводников с разной шириной запрещенной зоны (Ge, Те, InAs, InSb). Определены константы нелинейного поглощения в InAs и InSb. Установлено, что, несмотря на значительную разницу в концентрации генерируемых свободных носителей и в наведенном поглощении при предпробойных интенсивностях падающего излучения, пороги возникновения пробоя на поверхности лежат в узком диапазоне интенсивностей (3–5)·10⁷ Вт/см². На основе полученных результатов сделан вывод о том, что эффект предпробойной генерации свободных носителей в поверхностном слое не играет определяющей роли в возникновении пробоя.