RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1973, номер 3(15), страницы 66–71 (Mi qe5121)

Эта публикация цитируется в 27 статьях

Генерация на ионных переходах щелочноземельных металлов

Е. Л. Латуш, M. Ф. Сэм


Аннотация: Сообщается о получении импульсной генерации на восьми новых переходах в смесях паров магния, кальция, стронция и бария с гелием или неоном. Наибольший интерес представляют линии, лежащие в фиолетовой и ближней ультрафиолетовой области (0,4305 и 0,4162 мкм в стронции и 0,3737 мкм в кальции), на которых получено усиление в десятки децибел. Показано, что основным механизмом заселения уровней генерирующих переходов является рекомбинация двукратно заряженных ионов металлов, созданных как электронным ударом, так и тепловыми столкновениями с ионами гелия или неона. Существенную роль в расселении нижних уровней играет электронное девозбуждение.

УДК: 621.378.325:621.359.3

PACS: 32.80.Bx, 34.80.Dp, 34.70.+e

Поступила в редакцию: 21.06.1972


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, 3:3, 216–219


© МИАН, 2024