RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 6, страницы 1080–1081 (Mi qe5140)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Письма в редакцию

Фотодиссоционный XeF-лазер с КПД генерации около 1 %

В. С. Зуев, Л. Д. Михеев, Д. Б. Ставровский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Измерялся мгновенный КПД генерации фотодиссоционного XeF-лазера, определяемый как отношение мощности генерации к электрической мощности, вкладываемой в источник накачки. Накачка лазера осуществлялась ВУФ излучением открытого сильноточного разряда. В максимуме импульса генерации КПД составил 0,8 % на длине волны 353 нм и 1 % на 485 нм (с поправкой на геометрический фактор использования излучения источника накачки). Энергия импульса генерации и средний удельный энергосъем на 353 нм составили соответственно 28 Дж и 18 Дж/л, на 485 нм – 14,5 Дж и 10 Дж/л.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 52.80.-s

Поступила в редакцию: 06.03.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:6, 728–729

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024