Фотовозбуждение прямозонного полупроводника импульсной накачкой

Исследовано фотовозбуждение прямозонного полупроводника с собственной проводимостью в двух предельных случаях медленной и быстрой электрон-электронной релаксаций. Найдены зависимости концентрации и средней энергии горячих электронов от энергии накачки. Для быстрой электрон-электронной релаксации получено уравнение, описывающее поведение электронной температуры при фотовозбуждении с учетом электрон-фононных столкновений. Аналитическое решение, найденное для взаимодействия с пьезофононами, показало, что существует оптимальная длительность импульса фотовозбуждения, при которой температура горячих носителей максимальна.