К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Н. Ш. Беллуян, Р. К. Казарян, Л. Л. Матевосян, “Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Gaxln1–xAsySb1–y, полученных лазерным напылением”, Квантовая электроника, 11:6 (1984), 1264

Краткие сообщения

Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y, полученных лазерным напылением

К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Н. Ш. Беллуян, Р. К. Казарян, Л. Л. Матевосян

Институт радиотехники и электроники АН АрмССР, Аштарак

Аннотация: Показано, что периодическая структура InSb–GaAs обладает свойством одиночной размерно-квантовой пленки InSb. В пленке Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y впервые обнаружен квантовый размерный эффект.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 81.15.Ef, 42.62.-b, 78.66.Fd

Поступила в редакцию: 12.11.1983