RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 1, страницы 142–146 (Mi qe5194)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Влияние насыщения на качество обращения волнового фронта при вынужденном рассеянии пространственно-неоднородной накачки

И. Ю. Аникеев, И. Г. Зубарев, С. И. Михайлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Теоретически исследовано вынужденное рассеяние пространственно-неоднородного излучения в режиме насыщения. Получена и решена система динамических уравнений, описывающая взаимодействие накачки и стоксовых волн, коррелированных и некоррелированных с возбуждающим полем. Найден количественный критерий качества обращения волнового фронта для генерации из спонтанных шумов и для «бриллюэновского» усилителя.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.Hw, 42.65.Es, 42.65.Yj

Поступила в редакцию: 19.11.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:1, 88–91

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024