RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 1, страницы 170–171 (Mi qe5208)

Краткие сообщения

Непрерывные инжекционные лазеры коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/InP

Д. Ахмедов, В. П. Дураев, Е. В. Голикова, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев

Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе

Аннотация: Получена генерация когерентного излучения в непрерывном режиме при 300 K в полосковых и мезаполосковых лазерах на основе гетероструктур InGaAsP/InP в коротковолновой области (1,068–1,085 мкм). Пороговые токи составляли 140–220 мА. Изучены излучательные характеристики двусторонних гетероструктур лазеров коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/ InP.

УДК: 621.3.73.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Pk, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 02.04.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:1, 108–109

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024