RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1258–1261 (Mi qe5224)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Краткие сообщения

О взаимодействии и конкуренции прямого и обратного рассеяний при ВКР

Ю. Е. Дьяков, С. Ю. Никитин

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Теоретически исследован режим ВКР, при котором накачка рассеивается преимущественно назад, обусловленный влиянием осевой антистоксовой компоненты, обсуждается возможность его реализации.

УДК: 535.375

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 05.08.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:6, 796–798

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024