RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1264–1267 (Mi qe5228)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Определение параметров инжекционных лазерных усилителей на основе GaAlAs-гетероструктур по характеристикам суперлюминесцентного излучения

И. С. Голдобин, А. Т. Семенов, В. П. Табунов, С. Д. Якубович

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

Аннотация: Модифицированная методика определения усилительных характеристик активных сред по зависимости спектра усиленного спонтанного излучения (суперлюминесценции) от геометрии активной области применена к полосковым гетеролазерам без обратной связи. Получены спектральные зависимости основных параметров лазерных усилителей (ЛУ): коэффициента усиления чувствительности и динамического диапазона линейного режима усиления для узкополосного входного сигнала. Показано, что по этим параметрам гетероусилители практически не уступают ЛУ на основе гомоструктур, работающим при криогенных температурах.

УДК: 621.375.8.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 73.40.Lq

Поступила в редакцию: 23.08.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:6, 800–802

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024