RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 7, страницы 1319–1327 (Mi qe5268)

Двойное ВКР в плазме

А. А. Зозуля, В. П. Силин, В. Т. Тихончук

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрен эффект совместного вынужденного рассеяния падающей и отраженной компонент поля волны накачки на возмущениях электронной плотности в плазме. Показано, что этот эффект двойного вынужденного комбинационного рассеяния (ДВКР) приводит к абсолютной неустойчивости рассеянных волн. В модели однородного слоя плазмы конечной толщины найден коэффициент отражения за счет ДВКР при учете как истощения волны накачки, так и нелинейности плазменной волны. Показано, что эффект ДВКР сохраняется и в плазме с неоднородной плотностью. При этом ширина области взаимодействия волн определяется либо электронными столкновениями, либо конвективным выносом плазменных волн. Рассмотрены угловые и спектральные характеристики ДВКР в неоднородной плазме.

УДК: 533.9:621.373.826

PACS: 52.25.Os, 52.25.Fi, 52.35.Py, 52.35.Mw

Поступила в редакцию: 12.07.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:7, 892–897

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024