RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 7, страницы 1364–1367 (Mi qe5276)

Исследование инверсной населенности уровней иона OVII

В. В. Корухов, Н. Г. Никулин, Б. И. Трошин

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Экспериментально исследованы оптические характеристики плазмы, образующейся при облучении мишени из Al2O3 в вакууме мощным излучением неодимового лазера. Показано, что для гелиеподобного иона кислорода на переходе с главными квантовыми числами n = 4→n = 3 за счет рекомбинационного механизма заселения уровней можно получить коэффициент усиления ~10–2 см–1.

УДК: 633.8.16

PACS: 52.50.Jm, 52.25.-b

Поступила в редакцию: 20.09.1983
Исправленный вариант: 19.01.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:7, 921–923

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024