RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 7, страницы 1393–1403 (Mi qe5281)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Механизм образования ионов при облучении поверхности молекулярных кристаллов импульсным лазерным излучением

С. Е. Егоров, В. С. Летохов, А. Н. Шибанов

Институт спектроскопии АН СССР Моск. обл., г. Троицк

Аннотация: Исследуется процесс образования ионов при облучении молекулярных кристаллов УФ лазерными импульсами умеренной интенсивности. Рассматривается образование ионов как собственных молекул кристаллов, так и молекул, адсорбированных на поверхности. Показано, что механизм этого процесса следующий: импульс лазерного излучения слегка нагревает поверхность, что приводит к увеличению скорости испарения молекул в течение лазерного импульса; покинувшие поверхность свободные молекулы ионизируются над поверхностью через промежуточное электронное состояние тем же импульсом излучения. Приводятся результаты расчетов, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными. Предложен метод существенного повышения чувствительности фотоионизационного детектирования молекул за счет адсорбции на поверхности и импульсной десорбции.

УДК: 621.373.826.537.562

PACS: 79.20.Ds, 61.80.Ba

Поступила в редакцию: 03.10.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:7, 940–946

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024