RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 7, страницы 1437–1442 (Mi qe5287)

Расходимость излучения для двусвязанных апертур с эллиптическими и прямоугольными контурами

В. В. Елов, Н. Д. Черепенин

Казанский государственный университет им. В. И. Ульянова-Ленина

Аннотация: Рассматривается излучатель, апертура которого представляет собой двусвязную область с эллиптическими или прямоугольными контурами, связанными между собой преобразованием подобия; отношение размеров внешнего и внутреннего контуров $M>1$. В рамках модели идеального излучателя (однородное распределение поля по апертуре) проведено исследование дальнепольных распределений интенсивности и энергии излучения. Установлены пределы, в которых заключены углы расходимости по интенсивности. Показано, что изменением формы апертуры, связанным с увеличением эксцентриситета во взаимном расположении ее контуров, можно добиться значительного (для $<M\lesssim1$– почти двукратного) уменьшения расходимости по энергии в сравнении с концентрической апертурой.

УДК: 535.433:621.373.8

PACS: 42.79.Ag, 42.60.Da, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Mi

Поступила в редакцию: 16.08.1983
Исправленный вариант: 16.10.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:7, 969–972

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024