Измерение фактора уширения спектральной линии в инжекционных лазерах с напряженным активным слоем

Представлена методика определения фактора уширения спектральной линии α в полупроводниковых инжекционных лазерах. Экспериментально получены значения α в InGaAs/GaAs-лазерах с напряженным активным слоем и в квантоворазмерных GaAs/GaAlAs-лазерах без напряжения при концентрациях носителей, соответствующих токам накачки вблизи порогового значения. Показано, что параметр α при наличии напряжения в 1.9 раза меньше, чем в обычных квантоворазмерных лазерах.