RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 1, страницы 112–118 (Mi qe5323)

Особенности нагрева материалов при наклонном падении импульсного лазерного излучения

Е. И. Ивлев

Всесоюзный научно-иследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, Москва

Аннотация: Исследуются особенности нагрева материалов при наклонном падении импульсного лазерного излучения на поверхность мишени. Обнаружено явление «избыточного» нагрева; рассмотрены конкретные материалы, условия и спектральные области, для которых оно проявляется наиболее полно. Учет избыточного нагрева позволяет оптимизировать энергозатраты, необходимые для достижения заданной максимальной температуры нагрева мишени.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.60.He, 44.40.+a

Поступила в редакцию: 05.06.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:1, 62–65

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024