RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 1, страницы 130–134 (Mi qe5326)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Генерация магнитного поля плазмой лазерного факела при низких плотностях потока

В. А. Горбунов, А. И. Петрухин, Ю. Е. Плешанов, В. А. Пуштарик, В. А. Рыбаков

Институт физики Земли им. О. Ю. Шмидта АН СССР, Москва

Аннотация: Измерены компоненты магнитного поля, возникающего при облучении мишеней из алюминия и меди излучением неодимового лазера микросекундной длительности с плотностями потока 4·107 – 2·109 Вт/см2. Давление окружающего воздуха изменялось от 5·10–2 до 160 мм рт. ст. Экспериментально получены зависимости магнитного поля от расстояния до центра облучаемого пятна, давления окружающего воздуха и плотности потока лазерного излучения. Существенное увеличение магнитных полей в случае облучения плоских мишеней скрещенными и наклонными лазерными лучами свидетельствует о том, что источником магнитного поля являются области плазменного факела, где градиенты электронной температуры и плотности не коллинеарны.

УДК: 621.373

PACS: 52.50.Jm, 47.55.Cy, 52.25.Lp

Поступила в редакцию: 04.06.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:1, 83–85

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024