Характеристики канального инжекционного гетеролазера

Описан канальный инжекционный гетеролазер, в котором активной областью является p–n-гомопереход из GaAs (толщина 0,45 мкм), заключенный между эпитаксиальными слоями Ga_1-xAl_xAs (x ≈ 0,35), так называемый лазер с поперечным p–n-переходом. Структура изготовлена на полуизолирующей подложке из GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Пороговый ток равен 30 мА при комнатной температуре, а дифференциальная квантовая эффективность – 65 %. Одномодовая генерация наблюдалась в широком диапазоне токов инжекции при 300 K. Представлены результаты излучательных и динамических свойств таких лазеров.