Влияние легирования Ga0,68Al0,32As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком

Рассмотрено влияние на излучательные характеристики твердых растворов Ga_0,68Al_0,32As легирования теллуром в интервале от 5·10¹⁶ до 1·10¹⁸ см^–3 или цинком в интервале от 4·10¹⁷ до 1·10¹⁹ см^–3. Интенсивность катодалюминесценции и пороговая плотность тока лазера с накачкой электронным пучком резко ухудшались в образцах, легированных теллуром выше 3·10¹⁷ см^–3. Это объясняется наличием канала безызлучательной рекомбинации, в котором участвует примесный уровень (или зона), связанный с непрямым L – минимумом зоны проводимости. В образцах, легированных цинком, интенсивность катодолюминесценции и пороговая плотность тока лазера практически не зависели от концентрации легирующей примеси. Эти образцы обладали более низкой пороговой плотностью тока (50 мА/см² при T = 90 K и 0.9 мА/см² при T = 300 K), чем образцы n-типа проводимости.