RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 8, страницы 1657–1660 (Mi qe5380)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Инверсная населенность уровней ионов Al XII в рекомбинирующей лазерной плазме

В. А. Бойко, В. В. Гаврилов, М. И. Пергамент, И. Ю. Скобелев, А. Я. Фаенов, С. Я. Хахалин, А. И. Ярославский


Аннотация: Экспериментально исследован разлет алюминиевой лазерной плазмы в вакуум. Рентгеноспектральными методами определены параметры плазмы (температура, плотность, ионизационное состояние) и распределение ионов по возбужденным уровням. Дана качественная и количественная интерпретации экспериментальных данных и получена оценка коэффициентов усиления на переходах иона AI XII, лежащих в области далекого ультрафиолета (λ = 76–280 Å).

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.25.Jm, 52.50.Jm, 52.75.-d

Поступила в редакцию: 06.08.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:8, 1113–1115

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024