RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 7, страницы 1313–1317 (Mi qe5409)

О влиянии подогрева электронов в процессе рекомбинации атомов меди в лазерах на парах галогенидов меди на параметры генерации

В. М. Батенин, А. А. Заякин, И. И. Климовский

Институт высоких температур АН СССР, Москва

Аннотация: Проведен теоретический анализ влияния подогрева электронов в процессе рекомбинации атомов меди в лазере на парах галогенидов меди на характерное время релаксации температуры электронов. Результаты расчета сопоставляются с экспериментом.

УДК: 621.378:535.09

PACS: 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 10.11.1981
Исправленный вариант: 26.01.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:7, 835–838

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024