RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 2, страницы 245–249 (Mi qe5455)

Резонансная четырехфотонная параметрическая генерация при наличии сильного поля на смежном переходе

Г. М. Барыкинский, В. В. Лебедев

Институт теплофизики CO АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Рассмотрена генерация суммарной частоты ω3 = 2ω1 + ω2 в условиях, когда частота накачки совпадает с частотой двухфотонного перехода 2ω1 = ω21, а частота ω3 перестраивается вблизи резонансной линии атома. Параметрический процесс в условиях резонанса по частоте генерируемого поля имеет особенности, связанные с сильной конкуренцией эффектов возрастания нелинейной восприимчивости, поглощения и изменения фазового синхронизма. Кроме того, при достаточно мощном поле на смежном переходе частоты ω2 существенную роль начинает играть нелинейный комбинационный процесс, меняющий характеристики среды на частоте ω3. Показано, что, изменяя соответствующим образом мощность поля на смежном переходе, концентрацию атомов или длину взаимодействия, можно получать максимальные значения мощности параметрической генерации в широком спектральном диапазоне.

УДК: 621.378.33

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 30.01.1980
Исправленный вариант: 11.08.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:2, 149–151

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024