RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1973, номер 4(16), страницы 125–127 (Mi qe5524)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Краткие сообщения

Накачка ядерных уровней рентгеновским излучением лазерной плазмы

В. С. Летохов


Аннотация: Рассмотрена возможность возбуждения низколежащих уровней ядер импульсом рентгеновского излучения высокотемпературной лазерной плазмы по двух- и трехуровневой схемам. Показана принципиальная возможность получения интенсивных узких линий γ-излучения ядер без отдачи, а также инверсии населенности возбужденных ядерных уровней.

УДК: 533.9:621.378

PACS: 52.38.Ph, 52.25.Os

Поступила в редакцию: 27.09.1972
Исправленный вариант: 14.05.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 3:4, 360–361


© МИАН, 2024