RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 12, страницы 1192–1194 (Mi qe554)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Активные среды

Анизотропия нелинейного поглощения в кристалле ИАГ : V3+

Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин, В. А. Сандуленко, А. В. Сандуленко, С. М. Шпуга

Институт общей физики РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы поляризационные характеристики нелинейного поглощения излучения с λ = 1.055 мкм в кристалле ИАГ:V3+ на стадии насыщения в случае, когда длительность распространяющегося в кристалле импульса значительно меньше времени жизни возбужденного состояния примесных центров V3+. Сопоставление данных эксперимента и теоретического расчета показало, что экспериментальные данные наиболее хорошо описываются феноменологической моделью, в которой резонансное поглощение в кристалле происходит за счет трех линейных диполей, ориентированных вдоль главных кристаллографических осей кристалла ИАГ.

PACS: 78.50.Ec, 42.70.Hj, 42.60.Gd

Поступила в редакцию: 22.05.1995


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:12, 1154–1157

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024