RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 12, страницы 1195–1198 (Mi qe555)

Активные среды

Образование отрицательных ионов в газовых смесях активного элемента XeCl-лазера

А. Н. Малинин, Л. Л. Шимон, В. М. Добош, Б. Я. Хомяк

Ужгородский государственный университет

Аннотация: Исследовано образование отрицательных ионов в газовых смесях HCl(BCl3)–Xe–He, применяемых в активных элементах XeCl-лазера. Обнаружено, что константы скоростей образования отрицательных ионов в смесях с хлоридом бора в 2.5 раза превышают таковые в смесях с хлористым водородом, составляя (5.8–2.0)·10–10 см3/с при изменении параметра E/N от 2·10-17 до 4·10-16 В·см2. Высказано предположение о дополнительных процессах образования отрицательных ионов в смесях с BCl3.

PACS: 42.55.Gp, 52.25.Jm, 52.80.Hc

Поступила в редакцию: 05.07.1995


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:12, 1158–1161

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024