RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 2, страницы 386–388 (Mi qe5555)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

О форме D2-линии цезия, наблюдаемой с помощью полупроводникового лазера

H. М. Иевская, Л. С. Корниенко, А. Л. Коткин, В. И. Малахова, Р. М. Умарходжаев, С. Д. Якубович

Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследована форма сверхтонких компонент линии цезия, наблюдаемой с помощью полупроводникового лазера, работающего в непрерывном режиме. Показано, что форма возникающих сигналов поглощения и люминесценции, их ширина, амплитуда и положение максимума существенно зависят от времени релаксации рабочего вещества, от интенсивности лазерного излучения, от скорости и направления прохождения частоты через резонанс.

УДК: 621.373.826.038.825.4.535.338

PACS: 32.70.Jz, 32.30.Bv, 32.50.+d, 35.10.Fk

Поступила в редакцию: 08.06.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:2, 218–219

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024