Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Аннотация:
Показано, что в фазовом изображении объекта может быть реализовано сверхрелеевское пространственное
разрешение. Измерения на компьютерном фазовом микроскопе подтвердили возможность определения координаты
резкого изменения высоты профиля полупроводниковой структуры с точностью выше 10 нм.