RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 3, страницы 378–380 (Mi qe5637)

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Влияние температуры на сигнал обратного рассеяния в высокоапертурных волоконных световодах

В. В. Григорьянц, Г. А. Иванов, В. А. Исаев, Е. Д. Исайкина, О. Р. Мамедли, Ю. К. Чаморовский, А. Н. Шварев

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовано влияние нагрева в диапазоне температур 20–900 °C на потери и сигнал обратного рассеяния (СОР) в кварцевых волоконных световодах с сердцевинами из SiO2–GeO2–P2O5 и SiO2–GeO2. Температурная чувствительность СОР составила 0.33 X 10 – 3 дБ/°C в диапазоне 20–750 °C и 0.5 X 10 – 3 дБ/°C в диапазоне 20–850°С соответственно. В волоконных световодах с сердцевиной из SiO2–GeO2–P2O5 обнаружено необратимое увеличение СОР при нагревании, величина которого зависит от максимальной температуры нагрева.

УДК: 681.7.068

PACS: 42.81.Qb, 42.81.Dp, 42.81.Cn, 42.79.Ag

Поступила в редакцию: 01.03.1989
Исправленный вариант: 25.09.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:3, 314–316

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024