И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг, “Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 43

Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля

И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг

Аннотация: Изучена зависимость уровня Ферми и коэффициента поглощения от поля при оптических переходах в легированных полупроводниках. Найдено распределение интенсивности светового поля в кристалле в условиях насыщения.

УДК: 621.378.001

PACS: 78.20.Ci, 73.20.At, 73.20.Hb

Поступила в редакцию: 06.12.1972