Теория порога лазерной генерации в однородном сильно легированном полупроводнике в квантующем магнитном поле

Построена теория порога лазерной генерации в однородном сильно легированном полупроводнике в специальном случае, когда учитывается влияние квантующего магнитного поля лишь на состояния в зоне проводимости. Вычислены параметры генерации. Определен порог генерации в спонтанном приближении и в модели резонатора с двумя значениями потерь мод. Пороговая энергия накачки экспоненциально убывает с ростом поля.