Оптическая оперативная память на инжекционных лазерах

Исследование характеристик структур металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл (МДПДМ) показывает возможность использования данных структур в качестве реверсивного носителя информации, обладающего малой инерционностью и чувствительностью 10^–6 Дж/см². Для хранения информации используется эффект захвата неравновесных носителей на энергетические уровни поверхностных ловушек. Предложена схема построения оперативного запоминающего устройства на основе инжекционных лазеров на GaAs и кремниевых структур МДПДМ с произвольной выборкой информации в виде массивов. Принцип действия памяти не накладывает ограничений на когерентные свойства используемых лазеров.