RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 4, страницы 412–413 (Mi qe5680)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Генерация на ионных переходах стронция в разряде с электронным пучком

Ю. В. Коптев, Е. Л. Латуш, М. Ф. Сэм

Ростовский государственный университет

Аннотация: Получена генерация на переходе SrII с λ = 430,5 нм в смеси He–Sr при накачке за счет рекомбинации ионов Sr++ в поперечном открытом разряде коаксиальной конструкции с электронным пучком. В смеси He–Kr–Sr генерация на переходах SrII осуществлена одновременно с тремя типами накачки: электронным ударом (λ = 1033, 1092 нм), перезарядкой (λ = 1087, 1123, 1202 нм) и рекомбинацией (λ = 430,5 нм).

УДК: 621.375.8

PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 04.08.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:4, 346–348

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024