RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 4, страницы 418–422 (Mi qe5683)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физические процессы в активных средах

Спектральные и кинетические проявления фазовой памяти в столкновениях при взаимодействии излучения с лоренцевским газом

Ф. Х. Гельмуханов, А. И. Пархоменко

Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Исследовано влияние фазовой памяти при столкновениях на работу поля и светоиндуцированный дрейф (СИД) двухуровневых частиц газа в лоренцевской модели газа (тяжелые буферные частицы). Показано, что фазовая память может приводить к усилению падающего излучения частицами из определенного скоростного интервала без инверсии населенностей (практически все частицы при этом могут находиться в основном состоянии). Выяснено, что фазовая память сильно влияет на СИД в условиях, когда частота столкновений много больше доплеровской ширины линии поглощения: СИД, рассчитанный по формулам без учета фазовой памяти, может быть сильно занижен.

УДК: 533.15+539.19

PACS: 32.30.-r, 42.50.Gy, 32.80.Cy, 32.70.Jz

Поступила в редакцию: 04.02.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:4, 353–356

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024