Модуляция излучения в полупроводниках с помощью эффекта Ганна

Рассмотрено взаимодействие излучения с полупроводниковым кристаллом в состоянии ганновской генерации. Показано, что коэффициент отражения, в домене может резко отличаться от своего значения в кристалле. Предложен на этой основе способ амплитудной модуляции излучения. Обсуждаются плазменное и магнетоплазменное отражения.