Роль уровней квазиэнергии в процессах усиления света индуцированным излучением

Теоретически исследуются влияние перестройки релаксации трехуровневой системы в резонансном поле на дисперсию, поглощение и разность населенностей уровней, активированных некогерентной накачкой. Изменение релаксации вызвано стремлением теплового резервуара создать дополнительную разность населенностей квазиэнергетических состояний, возникающих под действием поля. Показано, что благодаря этому в лазерных кристаллах с трехуровневыми активными центрами существенно изменяется характер взаимодействия с полем излучения вблизи пороговой мощности накачки. Рассмотрены условия генерации с учетом найденных изменений. Установлено, что в этом случае возможно снижение пороговой мощности накачки до значения, при котором разность населенностей активных уровней равна нулю, а возникновение генерации обусловлено инверсией населенностей в системе уровней квазиэнергии. При этом частота генерации вблизи порога в нестационарном режиме должна зависеть от мощности накачки.