RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1536–1542 (Mi qe5746)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности

Т. Т. Басиев, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, С. Б. Миров, В. В. Осико, П. П. Пашинин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследована эффективность лазера на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивным затвором на основе кристаллов LiF с F2-центрами окраски. Получен КПД около 0,5 % в диапазоне энергий накачки 5,6–13 Дж с выходным распределением, соответствующим моде TEM00. Показано, что основной причиной, ограничивающей энергию импульса генерации, является неполное заполнение апертуры активного элемента. Проведено сравнение результатов эксперимента с расчетом. Получены соотношения, позволяющие с достаточной для практических целей точностью оценивать значения параметров выходного импульса при разных условиях эксперимента. Оценено влияние остаточного и наведенного поглощения, а также времени релаксации пассивного затвора на эффективность генерации.

УДК: 621.373.826.038.825.3

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By

Поступила в редакцию: 04.11.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:8, 984–988

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024