RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1576–1581 (Mi qe5765)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Определение вероятности релаксации населенности уровня 4I11/2 ионов неодима по сбросу люминесценции в малом внешнем образце

В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, В. М. Маркушев

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва

Аннотация: Предлагается усовершенствованный метод измерения вероятности релаксации населенности уровня 4I11/2 ионов неодима W21. Связь W21, величины сброса и параметров сбрасывающего импульса получена из решения кинетических уравнений для населенностей с учетом штарковской структуры энергетических уровней 4F3/2 и 4I11/2. При T=300K получены значения W21=108 с–1 ( Y3Al5O12:Nd3+) и W21=1,5·108 с–1 (La2O2S:Nd3+). Для кристалла Ba Gd2-xNdx(MoO4)4 при 77 K W21=2,5·108 с–1. Показано, что влияние W21 на эффективность использования запасенной энергии зависит от энергетического зазора между нижним штарковским подуровнем уровня 4I11/2 и подуровнем, являющимся конечным для вынужденных переходов.

УДК: 621.373-826.038.825.3

PACS: 32.70.Cs, 35.10.-d, 42.55.Rz, 31.50.+w

Поступила в редакцию: 28.07.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:8, 1010–1013

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024