RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1703–1705 (Mi qe5800)

Краткие сообщения

Переход от стационарного к импульсному пробою газа лазерным излучением у поверхности мишени

Е. В. Даньщиков, В. А. Дымшаков, Ф. В. Лебедев, А. В. Рязанов

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова

Аннотация: Экспериментально исследован переход от стационарного к импульсному режиму ионизационно-теплового пробоя газов вблизи поверхности облучаемой лазером мишени. Установлено, что при варьировании мощности лазерного пучка температура мишени в момент образования плазмы у ее поверхности минимальна в некоторый момент от начала воздействия до момента пробоя. Исследована зависимость этого времени установления стационарного режима пробоя от размера облучаемого пятна и теплофизических свойств пробиваемого газа.

УДК: 533.915.03:535.21:537.521.7

PACS: 52.50.Jm, 51.30.+i, 52.25.Kn

Поступила в редакцию: 17.11.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:8, 1092–1094

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024