RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1727–1729 (Mi qe5812)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

О возможности повышения яркости лазеров с пассивной модуляцией добротности на основе кристаллов LiF с $F_2^-$-центрами окраски

А. А. Тарасов


Аннотация: Благодаря использованию в лазере на АИГ: Nd$^{3+}$ пассивного затвора на основе LiF с $F_2^-$-центрами окраски (ЦО), имеющего переменное по поперечному сечению начальное пропускание, достигнуто уменьшение угловой расходимости лазера до 2' при сохранении энергетических характеристик. Описана методика создания профиля начального пропускания в пассивном затворе. Наблюдалось увеличение эффективности восстановления $F_2^+$-ЦО в кристалле LiF с $F_2$-ЦО при одновременном воздействии 2-й и 3-й гармоник излучения неодимового лазера.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.55.Rz, 42.65.Cq, 78.20.Dj, 61.70.Dx

Поступила в редакцию: 05.12.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:8, 1113–1114

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024